Транзисторные регионы эксплуатации

Источник постоянного тока предназначен для работы транзистора. Этот источник постоянного тока подается на два PN перехода транзистора, который влияет на действия основных носителей в этих соединениях эмиттера и коллектора.

Соединения имеют прямое и обратное смещение в зависимости от нашего требования. Прямое смещение - это состояние, при котором положительное напряжение подается на р-тип, а отрицательное напряжение подается на материал n-типа. Обратное смещение - это условие, когда положительное напряжение подается на n-тип, а отрицательное напряжение подается на материал p-типа.

Транзистор смещения

Подача подходящего внешнего напряжения постоянного тока называется смещением . Для соединений эмиттера и коллектора транзистора выполняется прямое или обратное смещение. Эти методы смещения заставляют транзисторную схему работать в четырех видах областей, таких как активная область, область насыщения, область отсечки и обратная активная область (редко используется). Это понятно, если взглянуть на следующую таблицу.

РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ КОЛЛЕКТОР СОЕДИНЕНИЯ РЕГИОН РАБОТЫ
Смещен в прямом направлении Смещен в прямом направлении Насыщенность региона
Смещен в прямом направлении Обратное смещение Активный регион
Обратное смещение Смещен в прямом направлении Обратная активная область
Обратное смещение Обратное смещение Регион отсечки

Среди этих областей обратная активная область, которая является инверсией активной области, не подходит ни для каких приложений и, следовательно, не используется.

Активный регион

Это область, в которой транзисторы имеют множество применений. Это также называется линейной областью . Транзистор, находясь в этом регионе, действует лучше как усилитель .

Активный регион

Эта область находится между насыщением и отсечкой. Транзистор работает в активной области, когда переход эмиттера смещен в прямом направлении, а переход коллектора - в обратном направлении. В активном состоянии ток коллектора в β раз больше базового тока, т.е.

$$ I_ {C} \: = \: \ beta I_ {B} $$

Где,

$ I_ {C} $ = ток коллектора

$ \ beta $ = коэффициент усиления тока

$ I_ {B} $ = базовый ток

Насыщенность региона

Это область, в которой транзистор ведет себя как замкнутый переключатель. Транзистор имеет эффект закорачивания коллектора и эмиттера. В этом режиме работы максимальный ток коллектора и эмиттера.

На рисунке ниже показан транзистор, работающий в области насыщения.

Регион насыщенности

Транзистор работает в области насыщения, когда соединения эмиттера и коллектора смещены в прямом направлении. Понятно, что в области насыщения транзистор ведет себя как замкнутый переключатель, можно сказать, что

$$ I_ {C} \: = \: I_ {E} $$

Где $ I_ {C} $ = ток коллектора и $ I_ {E} $ = ток эмиттера.

Регион отсечки

Это область, в которой транзистор ведет себя как открытый выключатель. Транзистор имеет эффект открытия коллектора и основания. В этом режиме работы токи коллектора, эмиттера и базы равны нулю.

На следующем рисунке показан транзистор, работающий в области среза.

Регион отсечения

Транзистор работает в области среза, когда оба соединения эмиттера и коллектора имеют обратное смещение. Как и в области отсечки, ток коллектора, ток эмиттера и токи базы равны нулю, мы можем записать как

$$ I_ {C}, \: = \: I_ {Е} \: = \: I_ {B}, \: = \: 0 $$

Где $ I_ {C} $ = ток коллектора, $ I_ {E} $ = ток эмиттера и $ I_ {B} $ = базовый ток.